Le transistor à effet de champ

Résumé du document

Le principe de fonctionnement d'un transistor à effet de champ est qu'un courant circulant dans une mince couche de semi-conducteur varie sous l'action d'un champ électrique perpendiculaire à la couche semi-conductrice. Ce champ va modifier la résistance de la couche de semi conducteur. Ces transistors trouvent leur utilité notamment dans la fabrication des circuits intégrés.

Extraits

[...] Impédance d'entrée du montage à base du TEC 2N3819 Impédance de sortie L'impédance de sortie de l'étage est égale à la résistance de charge drain RD mise en parallèle avec la résistance interne du TEC (ρds) et la résistance d'utilisation le cas échéant. En général la résistance interne pour les fréquences basses est très supérieure à la résistance de charge RD et l'impédance de sortie est approximativement égale à RD. Zsortie= Rd ρds Rutilisation. Impédance de sortie du montage à base du TEC 2N3819 Gain en tension Le gain en tension s'obtiendra en multipliant la résistance de drain RD par la pente du TEC. [...]

[...] De bons circuits pour la commutation et l'amplification. Montages amplificateurs de base Pour les transistors à effet de champ tout comme pour les transistors bipolaires il existe différentes façons de réaliser un montage amplificateur. Il est à noter que le TEC remplace avantageusement dans de nombreuses applications HF le transistor bipolaire lorsqu'une grande impédance d'entrée est demandée. Nous retrouvons trois types de montages : Source commune Drain commun Grille commune Schéma équivalent du TEC aux basses fréquences Source commune Drain commun Dans le montage en drain commun tout comme pour le montage en collecteur commun du transistor bipolaire le gain en tension Av se situe au voisinage de 1.Ceci implique que le rapport des variations de us selon ue qui leur à donné naissance est proche de l'unité. [...]

[...] - Électronique : fondements et applications / José-Philippe Pérez. [...]

[...] Transistor à effet de champ Formules de base On voit sur cette courbe que le courant Id est dépendant de la tension VGS. Si VGS est trop négative et atteint -Vp (tension de pincement) alors plus aucun courant ne circule dans le drain Id=0. Un deuxième point intéressant que nous avons déjà vu est atteint lorsque VGS=0, dans ce cas le courant de drain Id atteint la valeur de Idss. La courbe ressemble à une parabole d'équation simplifiée : Dans cette formule si VGS = -Vp alors le courant de drain s'annule, on voit également que si VGS=0 alors le courant Id = Idss. [...]

[...] Si par contre la grille est portée à un potentiel négatif par rapport à la source (pour les MOSFET canal alors, cette tension négative repousse les électrons, il se forme à son voisinage une zone appauvrie en porteurs et les électrons en provenance de la source sont repoussés lorsqu'ils arrivent à hauteur de cette zone. Plus la tension est négative et plus la grille exerce une répulsion sur les électrons. On dit que le canal s'appauvrit et on parle alors de MOSFET à appauvrissement. Pour les MOSFET canal P c'est une tension positive appliquée sur la grille par rapport à la source qui fera rétrécir le canal de conduction. [...]