La diode

Résumé du document

On appelle jonction la juxtaposition de deux éléments de semi-conducteur dont l'un est de type N et l'autre de type P. Le plus souvent on retrouvera le silicium et le germanium pour la fabrication de jonction.
Nous venons de fabriquer nos deux éléments de semi-conducteur, dont l'un est dopé N et l'autre dopé P. Mis à part le fait que la conductibilité de chacun augmente avec les impuretés nous ne voyons pas encore à quoi cela peut servir. Maintenant nous pourrions tenter l'expérience de relier un barreau de semi-conducteur N avec son type opposé P. Que se passe t-il alors ?

Extraits

[...] Bibliographie : - Fondements d'électronique : composants et applications / Thomas L. Floyd. - Électronique : fondements et applications / José-Philippe Pérez. [...]

[...] Taux d'ondulation : Dans un montage de redressement, on parlera souvent de taux d'ondulation. Ce taux est défini par le rapport entre la valeur efficace de l'ondulation divisée par la tension moyenne. Le facteur d'ondulation : Le facteur d'ondulation d'une alimentation se calcule par la formule suivante : Avec Veff_ondulation la valeur efficace de la Condensateur de filtrage Cette formule se déduit de Q=IT et Q=CU donc CU = IT . Avec C qui est la valeur du condensateur en Farad, Iu est le courant d'utilisation en Ampère, T est la période d'ondulation (10 mS en redressement bi alternances et 20 mS en redressement mono alternance) et Vond est la valeur de la tension d'ondulation crête crête. [...]

[...] Le facteur d'ondulation : Le facteur d'ondulation d'une alimentation se calcul par la formule suivante : Avec Veff_ondulation la valeur efficace de la tension d'ondulation, Vcontinue la valeur de la tension moyenne continue. Nous utiliserons une partie de cette formule pour calculer la valeur du condensateur de filtrage. Redressement bi alternances Valeur moyenne : La valeur moyenne d'un redressement bi alternance sera égale à 2 fois la valeur de la tension max d'alimentation divisée par Pi. La valeur moyenne est souvent notée avec une barre au dessus (Û). [...]

[...] Figure 3 Figure 4 Comme nous venons de le voir, de part et d'autre de la zone de diffusion nous allons retrouver des ions. Du côté de la jonction N les atomes donneurs vont perdre un électron dans leur cortège, puisque celui-ci aura été combler un trou dans l'atome voisin du cristal semi-conducteur dopé P et deviendront alors des ions positifs. Du côté P c'est l'inverse qui se produit, les atomes accepteurs vont bénéficier de l'apport d'un nouvel électron et ainsi devenir ions négatifs. [...]

[...] Le plus souvent on retrouvera le silicium et le germanium pour la fabrication de jonction. Nous venons de fabriquer nos deux éléments de semi-conducteur, dont l'un est dopé N et l'autre dopé P. Mis à part le fait que la conductibilité de chacun augmente avec les impuretés nous ne voyons pas encore à quoi cela peut servir. Maintenant nous pourrions tenter l'expérience de relier un barreau de semi-conducteur N avec son type opposé P. Que se passe-t-il alors ? Nous avons vu qu'il y avait un excès d'électrons dans le premier et un excès de trous dans le deuxième, le fait de relier les deux barreaux fait que les électrons (porteurs majoritaires de la région vont être attirés en quelque sorte par les trous (porteurs majoritaires) du barreau dopé P. [...]