Technologie des composants micro-ondes

Résumé du document

Technologies d'intégration

S.S.I : (short scale integration) l'intégration fait sur une dizaine de portes logiques
M.S.I : (Medium scale intégration) une intégration à échelle moyenne 100 portes logiques
L.S.I : (large scale integration) qui porte sur une intégration de centaine de portes logiques
V.L.S.I, S.L.S.I : (very large scale integration et supra large scale integration) une intégration de plus 10000 portes voire de plus de 50000 transistor sur la même puce (...)

Extraits

[...] Faible transductance. Technologie CMOS à caisson n Les transistors pMOS sont réalisés dans le caisson et les transistors nMOS dans le substrat Technologie CMOS à caisson p Les transistors pMOS sont réalisés sur des substrats de type n et les transistors nMOS dans le caisson p Technologie CMOS à caisson double utilise le substrat de Silicium de type quelconque , sur lequel sont déposés des caissons de type n et des caissons de type p Exemple de fabrication Vue en coupe d'un circuit en T.bipolaire Technologie BiCMOS CMOS: Bipolaire: -Très haute densité -forte transconductance d'intégration -courants de sortie élevé -Faible consommation -grande rapidité -Faible transconductance -Résistance aux radiations Technologie SOI Technologie CMOS silicium sur insulaire. [...]

[...] Procédés de fabrication des MMIC Épitaxie sélective Nature des boîtiers: Céramique ou plastique Types de boîtier: Les circuits flat-pack raccordé par micro soudures destinés à l'aérospatiale ou aux techniques militaires Les boîtiers enfichables(dual in line) conçus pour l'industrie, les sorties peuvent être au nombre de 64 Les résistances : réalisées par ouverture de fenêtre dans l'oxyde par photogravure et utilisation de masques ,de 20 Ω à 20 kΩ Les condensateurs :réaliser par effet capacitif d'une jonction polarisée en inverses, soit par interposition entre deux zones métallisées d'un matériau diélectrique(l'oxyde de Si) quelques centaines de picofarads. [...]

[...] Circuits compliqués Nb d'entrées-sorties élevée Mise en boîtier plus cher que la puce Solution: diminution des entrées-sorties par Multiplixage Technologie CMOS Utilisation des propriétés du transistor MOS complémentaire(complementary Metal oxyde silicon) Avantages: Haute échelle d'intégration. Faible consommation . [...]