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Il existe différents types de mémoire : la mémoire volatile et la mémoire morte. Dans la mémoire volatile, on peut lire et écrire et réécrire des données à volonté. Ces mémoires sont dites volatiles, car leur contenu s'efface/disparaît si elles ne sont plus alimentées. C'est des mémoires RAM.
[...] L'écriture s'effectue à l'aide d'un programmateur qui va faire griller les fusibles par un claquement diélectrique étant dans la puce pour définir la donnée (fusible grillé = 0 ; Fusible sain : 1).Source de l'image : https://ae01.alicdn.com/kf/H27426ed5765f48e5a3964a4c7171c756a/2PCS-Lot-New-OriginaI-XCF01S-XCF01SVOG20C-or-XCF02S-XCF02SVOG20C-XCF02SVOG20-XCF04S-XCF04SVOG20C-XCF04SVOG20-TSSOP-20-Flash.jpg_220x220xz.jpgEPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) : elle a été inventée en 1971, elle est reprogrammable. Son contenu peut être flashé beaucoup de fois. Son contenu est également effaçable par UV (Ultraviolet). Pour cela, il faut l'exposer une vingtaine de minutes à un rayonnement UV.Source de l'image : https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/8/8b/ST_Microelectronics_M27C256B_%282006%29.jpg/330px-ST_Microelectronics_M27C256B_%282006%29.jpgPar contre, il est impossible de sélectionner un groupe de cellules à effacer et il est également impossible d'effacer la mémoire in-situ1.EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) : elle a été inventée en 1972, son contenu est programmable et effaçable électriquement. [...]
[...] Les SSD, les clés USB et les cartes SD utilisent des puces NAND.NORLa plus ancienne des mémoires flash est la mémoire NOR. Dans le flash NOR, les cellules de mémoire individuelles sont interconnectées en parallèle, ce qui permet de pouvoir consulter les données dans un ordre aléatoire. Cela permet à NOR d'avoir des temps de lecture très courts quand il récupère des informations pour exécution.Le coût par volume et la consommation d'énergie en mode veille sont plus élevés par rapport au flash NAND. [...]
[...] En fonction du signe de la tension (négative ou positive), les électrons vont passer de la grille flottante vers la grille de contrôle (déchargement) ou dans le sens inverse (chargement), ce qui représente l'effet tunnel.La montée en énergie qui est réalisée à chaque changement d'état signifie que le composant chauffe et se détériore (le point de rupture est entre 100.000 et 1.000.000 de fois).Ceci permet de comprendre pourquoi les puces mémoires qui sont utilisées dans les SSD, clé USB . ont un cycle de vie limité.Type mémoire EEPROMLes SSD, clés USB . utilisent des puces mémoires EEPROM, appelé également « Flash ». [...]
[...] Par contre, la vitesse d'écriture et d'effacement est minime.Point positif, l'exécution de code avec le flash NOR est beaucoup plus élevée, car la construction de son architecture est à accès aléatoire.En général, le flash NOR est utilisé pour le stockage de code dans des périphériques, par exemple, l'unité de stockage de code d'appareils photo numériques et des applications intégrées. [...]
[...] C'est des mémoires RAM. Elles sont divisées en deux types :La mémoire statique : elle se maintient indéfiniment tant que l'alimentation est présente, il suffit donc de maintenir la tension d'alimentation du circuit pour garder l'information : SRAMLa mémoire dynamique : l'information se dégrade toute seule au cours du temps. Il faut rafraîchir ou écrire à nouveau l'information stockée si on ne veut pas la perdre : DRAM.Mémoire morteLa mémoire morte permet de stocker des données. Cette mémoire est non volatile, ce qui veut dire qu'elle n'efface pas le contenu si l'appareil (tablette, ordinateur, smartphone . [...]
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