L’epitaxie par jet moléculaire

Résumé du document

L'épitaxie est une étape technologique consistant à faire croître du cristal sur du cristal. Etymologiquement, "épi" signifie "sur" et "taxis" "arrangement". La technique va donc consister à utiliser le substrat comme germe cristallin de croissance et à faire croître la couche par un apport d'éléments constituant la nouvelle couche. La couche épitaxée peut être dopée ou non.

Extraits

[...] Figure 1 : Exemple d'une épitaxie sur un substrat de type ; on dira que le substrat est épitaxié b. Historique Le principe de base à été développé par Günther à la fin des années cinquante et repose sur la technique des trois températures. Il utilisait un creuset d'arsenic porté à une température TV pour maintenir une pression partielle suffisante sur le substrat et un creuset de gallium à la température TIII. Les flux étaient dirigés sur un substrat polycristallin porté à la température TS. [...]

[...] L'epitaxie par jet moléculaire L'epitaxie par jet moléculaire 1. Introduction a. Définition L'épitaxie est une étape technologique consistant à faire croître du cristal sur du cristal. Etymologiquement, "épi" signifie "sur" et "taxis", "arrangement". La technique va donc consister à utiliser le substrat comme germe cristallin de croissance et à faire croître la couche par un apport d'éléments constituant la nouvelle couche. La couche épitaxiée peut être dopée ou non dopée. [...]